RF MEMS技術の最前線 - 大和田邦樹

MEMS技術の最前線 大和田邦樹

Add: urefoh27 - Date: 2020-12-08 10:54:13 - Views: 6851 - Clicks: 9044

MEMS スイッチの重要な強みは、高精度の 0 Hz/DC 性能および広帯域 RF 性能を両立し、リレーよりも高い信頼性を、表面実装型の小さいフォーム・ファクタにまとめている点です。 あらゆるスイッチ技術において最も重要な性能指数は、1 個のスイッチのオン抵抗にオフ容量を乗じた値です。これは一般に RonCoff 積と呼ばれ、フェムト秒単位で表されます。RonCoff が小さくなるとスイッチの挿入損失も小さくなり、オフ・アイソレーションが改善されます。 アナログ・デバイセズの MEMS スイッチ技術のスイッチ・ユニット・セル 1 個あたりの RonCoff 積は 8 未満であり、卓越したスイッチ性能を実現する高品質の技術として位置付けられています。 この基本となる利点は、慎重な設計とともに、優れた RF 性能レベルを実現するために利用されてきました。図 6 は、プロトタイプ QFN 単極双投(SPDT)MEMS スイッチの挿入損失とオフ・アイソレーションを測定した図です。挿入損失は 26. 1–6 GHz frequency range, and the actual integration of RF MEMS switches on a self-similar Sierpinski gasket antenna to increase its number of resonant frequencies, extending its range to 8 GHz, 14 GHz and 25 GHz, an RF MEMS radiation pattern reconfigurable spiral. 新しい技術において重要な原則は、どの程度の信頼性を備えているかということであり、アナログ・デバイセズが特に留意しているのもこの点です。新しい MEMS 技術の製造プロセスは、機械的に堅牢な高性能スイッチ設計の開発を可能にするための基本でした。このプロセスと、密封されたシリコン・キャッピング・プロセスの組み合わせが、真の信頼性を備えた長寿命の MEMS スイッチを提供するうえできわめて重要だったのです。MEMS スイッチの商品化を成功させるには、スイッチ・サイクリング、寿命試験、機械的衝撃試験など、MEMS固有の広範な信頼性試験が必要でした。このような品質評価に加えて、できる限り高いレベルの品質を保証するために、これらのデバイスについては、標準的な IC 信頼性試験による品質評価が行われてきました。実施された環境試験と機械的試験の概要を表 1 に示します。 RF 計測アプリケーションでは、スイッチの動作寿命の長いことが最も重要です。MEMS 技術は、電子機械式リレーより一桁多いサイクル寿命を実現するために開発が行われてきました。このデバイスのサイクル寿命は、85 ºC での高温動作寿命(HTOLI)試験と初期故障(ELF)品質評価試験によって確保されています。 連続オン寿命(COL)性能は、MEMS スイッチ技術におけるもう 1 つの重要パラメータです。例えば、RF 計測におけるスイッチの使用法はさまざまで、長時間にわたってオン位置のままになることもあります。アナログ・デバイセズはこの事実を認識して、MEMS スイッチ技術の寿命関連リスクを軽減するために、優れた COL 寿命性能の実現を重視してきました。アナログ・デバイセズは、50 ºC で 7 年間(故障発生までの平均時間)という初期の COL 性能からさらに技術を高め、クラス最高レベルの 85 ºC で 10 年間という COL を実現しました。 MEMS スイッチ技術については、一連の包括的な機械的堅牢性評価試験が行われてきました。表 1 に、MEMS スイッチの機械的耐久性を確認する試験内容を示します。MEMS スイッチ素子はサイズが小さく慣性も小さいので、電子機械式リレーより大幅に堅牢性が向上しています。. RF MEMS技術の応用展開 普及版/シ-エムシ-出版/大和田邦樹 (単行本) 中古ならYahoo! rf mems開発の歴史 3.

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集積化rf mems技術 さまざまな通信方式に対応可能な次世代無線端末の開発に向け,高性能な 無線通信用デバイスを実現可能にするrf RF MEMS技術の最前線 - 大和田邦樹 mems技術が注目されています. 本稿では,多種類多数個のrf memsデバイスをlsi上に形成する「集積化. See full list on analog. 作動寿命: 最小 10 億回の作動サイクルを確保しています。これは、今日市場で入手可能なあらゆる機械式リレーの定格寿命(通常 1,000. rf mems技術の最前線 - ワイヤレス時代のキ-テクノロジ- - 大和田邦樹 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!. memsのグループ別代表デバイスと応用分野 4. 普及版 フォーマット: 図書 責任表示: 大和田邦樹監修 言語: 日本語 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,.

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RF MEMS技術の最前線 : ワイヤレス時代のキーテクノロジー フォーマット: 図書 責任表示: 大和田邦樹監修 言語: 日本語 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,. 「rf mems技術の最前線 : ワイヤレス時代のキーテクノロジー」を図書館から検索。カーリルは複数の図書館からまとめて蔵書検索ができるサービスです。. 1 rf memsとgaas回路,sige回路,またはcmos回路との集積化 4. 大和田邦樹 監修: 著者標目: 大和田, 邦樹: シリーズ名: cmc tl ; 417. 認知症治療薬開発の最前線-ファインケミカルシリーズ-阿部-和穂 rf-mems技術の最前線―ワイヤレス時代のキーテクノロジー-新材料シリーズ-大和田-邦樹. ”, Microwave Symposium (IMS), IEEE MTT-S International, 17-22 May.

第48回センサ&アクチュエータ技術シンポジウム センサ技術最前線: 11月5日に、盛会裏に終了いたしました。 多数の方のご参加、ありがとうございました。. 過去 30 年間にわたり、MEMS スイッチは、性能が限られた電子機械式リレーに代わる優れたデバイスとして、絶えず喧伝されてきました。そして、0 Hz/DC から数百 GHz までの信号の経路を高い信頼性と最小限の損失で定めることのできる、使いやすく小さいフォーム・ファクタのスイッチを提供することによって、電子システムの実現方法に大きな変革をもたらしてきました。この性能上の利点は、きわめて広範なタイプの装置やアプリケーションに影響を与えます。電気的な試験/計測システム、防衛システム・アプリケーション、ヘルスケア機器などは、これまで不可能であったレベルの性能とフォーム・ファクタを実現できる分野の一部にすぎません。これらはすべて、MEMS スイッチ技術によって可能となります。 現在のスイッチング技術にはどれも欠点があり、理想的なソリューションといえる技術は 1 つもありません。リレーの欠点としては、狭い帯域幅、短い動作寿命、限られたチャンネル数、大きいパッケージ・サイズなどが挙げられます。MEMS 技術は、リレーより小さいフォーム・ファクタで、卓越した RF スイッチ性能と桁違いの信頼性向上を実現する可能性を持ち続けてきました。 MEMS スイッチ技術の開発に挑む多くの企業を阻んできた課題が、信頼性の高い量産品を提供することでした。最初に MEMS スイッチの研究に携わった企業の 1 つが The FoxboroCompany で、同社は 1984 年に、世界初となる電子機械式スイッチの特許の 1 つを申請しています。アナログ・デバイセズは、1990 年以来、初期の学術的プロジェクトを通じて、MEMS スイッチ技術の研究に関わり、1998 年までに、MEMS スイッチの設計、開発を成し遂げ、これが初期のプロトタイプにつながっています。その後 年、MEMS スイッチ・プロジェクトへの投資を大幅に拡大することにより、自社の最先端 MEMS スイッチ製造施設の建設が進められました。今日のアナログ・デバイセズは、常に必要とされる製品、すなわち旧式となりつつあるリレー技術に代わる、量産が可能で信頼性と高性能を兼ね備えた小型フォーム・ファクタの MEMS スイッチを供給することができます。 アナログ・デバイセズには、MEMS に関する豊かな歴史があります。開発、製造. 5 nA のオフ・リーク、–110 dBc の全高調波歪み(THD + N)という高精度の性能レベルを達成しており、ビームと基板を最適化すれば、すべてのレベルをさらに向上できる可能性があります。 2. : “Commercialization of a Reliable RF MEMS Switch with Integrated Driver Circuitry in a Miniature QFN Package for RF Instrumentation Applications. rf mems技術の応用展開普及版 - 大和田邦樹 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!みんなのレビュー・感想も満載。. 第1章 mems技術の概要(大和田邦樹) 1. 2 rf memsのリニアリティと相互変調歪積.

炭素応用技術の新展開 資料種別: 図書 出版情報: 東京 : シーエムシー, 1988. 5 kV HBM ESD、ドライバ内蔵. 目次 : 1 総論(MEMS技術の概要/ RF MEMS技術. : “Development of a DC to K-Band Ultra Long On-Life RF MEMS Switch with Integrated Driver Circuitry. : “Rugged and reliable ohmic MEMS switches”, Microwave Symposium Digest(MTT), IEEE MTT-S Int.

大和田, 邦樹 isbn:書誌id:. The prior art includes an RF MEMS frequency tunable fractal antenna for the 0. 請求記号: dl475-h310 書誌id:. ”, European Microwave Conference (EuMC), European Microwave Association (EuMA), 4-6 October.

”, Wiley, Goggin, R. RF MEMS技術の最前線 ワイヤレス時代のキーテクノロジー:本・コミックのネット通販ならセブンネットショッピング。セブン‐イレブン店舗受取りなら送料無料&24時間受取れる。. 5 GHz でわずか 1 dB で、さらに 32 GHz 以上に達する帯域幅が QFN パッケージの状態で実現されています。 図 7 は、単極双投(SPDT)MEMS スイッチ・ダイのプローブ計測により、プロトタイプの挿入損失とオフ・アイソレーションをより広い周波数範囲でスイープした結果です。40 GHz で、1 dB の挿入損失と -30 dB 程度のオフ・アイソレーションを達成しています。 さらに MEMS スイッチ設計は、本質的に以下の領域においてきわめて高い性能を実現します。 1.

MEMS/NEMSの最先端技術と応用展開 フォーマット: 図書 責任表示: 前田龍太郎, 沢田廉士, 青柳桂一編集 言語: 日本語 出版情報: 東京 : フロンティア出版,. 年は2月に九州で開催し、地方でのmems技術の普及に貢献しています。 先端技術交流会は第2回医療mems研究会と兼ねて、「生体モニタリングの最前線」をテーマとして開催し、mems及び医療関係の技術者と意見交換が行われました。. RF MEMS技術の最前線: 国際標準化工学研究所 ・監修 大和田邦樹・発行日 年4月・価格 68,250円(本体65,000円+税5%)・体裁 B5判,224ページ・ISBNコード 目次【I 総論】第1章 MEMS技術の概要(大和田邦樹)1. Amazonで邦樹, 大和田のRF MEMS技術の最前線―ワイヤレス時代のキーテクノロジー (新材料シリーズ)。アマゾンならポイント還元本が多数。邦樹, 大和田作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。. 【最安値 3,740円(税込)】(12/6時点 - 商品価格ナビ)【製品詳細:書名カナ:アールエフ メムス ギジュツ ノ オウヨウ テンカイ|著者名:大和田邦樹|著者名カナ:オオワダ,クニキ|シリーズ名:CMC TL|シリーズ名カナ:シーエムシー ティーエル|発行. mems開発の歴史 3. 新材料・新素材シリーズ||シンザイリョウ シンソザイ シリーズ. 直線性性能: 27 dBm の入力トーンで、69 dBm を超える 3 次相互変調インターセプト(IP3)を実現しています。全動作周波数帯内で、75 dBm 以上まで値を向上できる可能性があります。 3.

958, 961, 28-31 Oct. memsの国際標準化 第2章 rf mems技術の概要(大和田邦樹) 1. 2 形態: vi, 224p : 挿図 ; 21cm 著者名: 大和田, 邦樹 シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 417. マイクロ・ナノ技術 -memsプロセス・デバイス最前線- 座長:大和田邦樹氏 mems技術では、最近、プロセス、デバイスについて新しい展開が進んできました。. 書誌情報 責任表示: 大和田邦樹 監修 出版者: シーエムシー出版 出版年月日:. アナログ・デバイセズが開発した MEMS スイッチ技術によって、スイッチの性能と小型化を大きく飛躍させることが可能となります。0 Hz/DC から Ka バンドを超える帯域までをカバーするクラス最高の性能、リレーよりも一桁長いサイクル寿命、優れた直線性、きわめて低い消費電力、チップ・スケール・パッケージでの提供などにより、アナログ・デバイセズのMEMS スイッチ技術は、アナログ・デバイセズが提供する幅広いスイッチ製品群に新たに革新的な製品を加えます。.

「MEMS技術を利用した地域活性化:兵庫でMEMSがもたらす新境地」 MMC 酒向: 227: /10/02(金) 【次世代センサ協議会シンポジウム】のご案内 (11/5) 「センサ技術最前線」 大和田邦樹: 226: /10/01(木). RF MEMS技術の応用展開 大和田邦樹監修 (CMCテクニカルライブラリー, 417. ニ ュ ー ス RF MEMS技術の最前線 - 大和田邦樹 本 文: 1 ファインmemsシステム化設計プラットフォーム研究開発がスタート 近年、米国を中心として設計プラットフォームを用いた表面集積化の動きが活発化し、高集積memsに関わる製造技術、設計技術の両面を備えたトータルな研究開発により、高集積mems製品の成功事例が増加して. ADGM1304 SP4T MEMS スイッチ、0 Hz/DC ~ 14 GHz、ドライバ内蔵 ADGM1004 SP4T MEMS スイッチ、0 Hz/DC ~ 13 GHz、2.

新材料・新素材シリーズ||シンザイリョウ シンソザイ シリーズ) シーエムシー出版,. 新材料・新素材シリーズ: 出版地(国名コード) jp: 出版地: 東京: 出版社: シーエムシー出版: 出版年月日等:. rf mems技術の応用展開. 認知症治療薬開発の最前線-ファインケミカルシリーズ-阿部-和穂 rf-mems技術の最前線―ワイヤレス時代のキーテクノロジー-新材料シリーズ-大和田-邦樹 磁性ビーズのバイオ・環境技術への応用展開-新材料シリーズ-野田-紘憙.

1)近藤英一,上野和良:半導体・mems のための超臨 界流体,コロナ社,. 2: 大きさ、容量等: 224p ; 21cm: 注記 初版 (年刊) のタイトル: rf mems技術の最. mems技術の特徴,技術分野と専門用語 5.

その他の標題: rf mems技術の最前線. アナログ・デバイセズの MEMS スイッチ技術の中核をなすのは、静電駆動型、マイクロマシン構造で、カンチレバー・ビームを備えたスイッチング素子という構想です。基本的に、このスイッチは、静電気で動作する金属接点を備えた 1 マイクロメータ単位の機械式リレーと考えることができます。 スイッチは 3 端子構成で接続されます。機能上、これらの端子はソース、ゲート、ドレインと考えることができます。スイッチの動作を視覚的に表したのが図 2 です。ケース A はオフ位置にある状態を示しています。ゲートに DC 電圧を加えると、スイッチ・ビームを下方向へ引っ張る静電気力が発生します。これは平行板コンデンサに生じる静電気力と同じもので、正負の電荷が帯電したプレートが互いに引き合います。ゲートの電圧が徐々に増加して十分高い値になると、抵抗となるスイッチ・ビームのスプリング力に打ち勝つだけの十分な引力(赤い矢印)が生じ、ビームが下方向へ動き始めて接点がドレインに接触します。この状態を示したのが図 2 のケースB です。これによってソースとドレイン間に回路が形成され、スイッチがオンの状態になります。スイッチ・ビームを下に引き下げるために実際に必要とされる力は、カンチレバー・ビームのばね定数と動作抵抗の大きさに関係します。オン位置にあっても、スイッチ・ビームには依然として上方向のスプリング力(青い矢印)がかかっていますが、下に引いている静電気力(赤い矢印)のほうが大きい限り、スイッチはオン状態を維持します。最後に、ゲート電圧を取り除く、つまりゲート電極の電圧を 0 V にすると(図 2 のケース C)、静電気による引力は消失し、スイッチ・ビームが十分な復元力(青い矢印)を持つスプリングとして作用し、ソースとドレイン間の接続が開いて、元のオフ位置に戻ります。 MEMS 技術を使用してスイッチを製造する 4 つの主要ステップを、図 3 に示します。スイッチは高抵抗のシリコン・ウェーハ(1)の上に形成しますが、ウェーハの上面には、下側にある基板との電気的絶縁を確実なものとするために、厚い絶縁層を堆積します。MEMS スイッチとの相互接続の実現には、標準的なバックエンド CMOS 相互接続プロセスを使用します。MEMSスイッチへの電気的接続には低抵抗の金属とポリシリコンを使用し、これを絶縁層に. 第1回の材料特性標準化委員会(引張試験)(委員長:国際標準化工学研究所 大和田邦樹氏)が9月26日(月)に開催されました。 今春、IECに提出されました、「MEMS用薄膜材料の引張試験法」と「MEMS用薄膜材料の引張試験用標準試験片」のCDV(Committee Draft for Vote)の. 2番目の講演は「mems技術動向:世界のMEMS関連学会の発表からビジネス注目分野を推測」と題して、早稲田大学・理工学術院、基幹理工学部・教授 庄子習一氏(国内外技術動向調査委員会・委員長)から、国際的に最も認知されているmems(年1月26日から.

| 大和田邦樹の商品、最新情報が満載!. rf mems技術の最前線 ワイヤレス時代のキーテクノロジー; 目次; i 総論; i 第1章 mems技術の概要 大和田邦樹; i 第1章 1 memsとは 3; i 第1章 2 mems開発の歴史 5; i 第1章 3 memsのグループ別代表デバイスと応用分野 8. rf mems技術の最前線 ワイヤレス時代のキーテクノロジー.

最近,低損失なrfスイッチやrfバラクタを実現できる技術としてrf mems技術が注目されている。mems技術は半導体集積回路技術にmems固有のプロセス技術を付加することにより,基板上で機械的動作可能な構造を実現するものである。. 4 3)文部科学省:学校施設の耐震補強マニュアル rc 造 校舎編« 年改訂版». ”, Sensors, IEEE, pp. ,無線通信用RF-MEMSデバイス RF-MEMS Devices for Wireless Communications あらまし 56, 4, 07, 携帯電話や無線LANに代表される無線通信分野では,ブロードバンド化や高周波化,グ. 5 形態: ix, 285p ; 27cm 著者名:. 高精度 DC 性能: 2 Ω 未満の RON、0. 2 普及版 cmcテクニカルライブラリー 417. rf memsの利点 4.

10 形態: 339p ; 27cm 書誌ID: BN0289829X. “RF MEMS, Theory, Design and Technology. rf memsの構造例 4.

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